主要特性与技术指标
适合功率器件表征的综合解决方案,高达 1500 A 和 10 kV
中等电流测量和高电压偏置(例如,500 mA,1200 V)
μΩ 导通电阻测量功能
高电压偏置时,可进行精确的 sub-pA 电平电流测量
在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 温度范围内进行全自动热测试
广泛的器件测量功能
可在高达 3000 V 直流偏置时执行全自动电容测量(Ciss、Coss、Crss 等)
10 μs 高功率脉冲测量
封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅较电荷测量
高电压/强电流快速切换选件,适用于 GaN 电流崩塌效应表征
多达 5 个高电压(3 kV)电源/测量通道,提供的灵活性
多达 5 个高电压(3 kV)电源/测量通道,提供的灵活性
改进的测量效率
在高电压和强电流测量之间自动切换,*重新布线
自动测试电路形成,可用于封装器件和晶圆上器件的晶体管结电容(Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等)测量
具有互锁机制的标准测试夹具,可进行封装功率器件测试
支持高达 200 A 和 10 kV 的高功率晶圆上测试
示波器视图支持对应用电压和电流波形的验证
MS Windows EasyEXPERT 软件简化了数据管理和分析流程
可升级和可扩展的硬件体系结构
广泛的测量模块选择
支持具有高达 6 个连接引脚的高功率器件